半導體電子環(huán)氧塑封料（EMC）的耐電痕無(wú)鹵阻燃測試

目前硅基半導體芯片所使用的封裝材料主要是環(huán)氧塑封料（EMC），對其電學(xué)性能的測試除了高低溫介電溫譜（介電常數）、常溫高溫電場(chǎng)強度（電擊穿）及常溫高溫絕緣電阻（體積電阻率）測試以外，耐電痕無(wú)鹵阻燃也是非常重要的電學(xué)性能指標之一。

電痕是指電應力和電解雜質(zhì)在相互作用下會(huì )在材料的表面（或內部）產(chǎn)生導電通道。耐局部放電特性和耐電痕絕緣設計對EMC來(lái)說(shuō)十分重要，因為當EMC內部出現未填充區域或空隙時(shí)，不僅會(huì )導致其絕緣強度下降，還會(huì )因為空隙中電荷的集中而產(chǎn)生局部放電，導致EMC性能劣化并對芯片產(chǎn)生破壞。衡量EMC耐電痕特性的指標是相比電痕化指數（CTI），按照絕緣材料的CTI指標范圍可將其分為5類(lèi)，只有CTI≥600V的EMC才可應用于功率電子器件的封裝。當然，無(wú)論是功率電子器件還是常規半導體器件，EMC的無(wú)鹵阻燃特性是不變的。

北京華測試驗儀器有限公司所生產(chǎn)的HCDH-2耐漏電起痕試驗儀被廣泛應用于半導體、新能源、家用電器等行業(yè)，符合GB/T4207、IEC60112、IEC60335、UL746A等標準。一體化機身設計，采用10寸觸控屏控制，智能程度高，可實(shí)現試驗過(guò)程的無(wú)人化操作；鉑金電極和全向可調節機構配合精準的試驗電壓電流（±1%）使得試驗數據更加準確。